詳細(xì)資料：

英飛凌IGBT模塊FZ2400R12HP4_B9；北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R12HP4_B9

大功率變頻器IGBT模塊FZ2400R12HP4_B9

SIEMENS西門(mén)子Infineon英飛凌EUPEC歐派克FZ2400R12HP4_B9

英飛凌1200V IGBT模塊FZ2400R12HP4_B9

IGBT柵極的保護(hù)
IGBT的柵極-發(fā)射極驅(qū)動(dòng)電壓VGE的保證值為±20V,如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上超出保證值的電壓,則可能會(huì)損壞IGBT,因此,在IGBT的驅(qū)動(dòng)電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路.另外,若IGBT的柵極與發(fā)射極間開(kāi)路,而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極-發(fā)射極有電流流過(guò).這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí),可能會(huì)使IGBT發(fā)熱甚至損壞.如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過(guò)程中使得柵極回路斷開(kāi),在不被察覺(jué)的情況下給主電路加上電壓,則IGBT就可能會(huì)損壞.為防止此類情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十kΩ的電阻,此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極

IGBT3
FZ300R12KE3G
FZ400R12KE3
FZ400R12KE3_B1
FZ600R12KE3
FZ600R12KE3_B1
FZ800R12KE3
IGBT4
FZ400R12KE4
FZ600R12KE4
FZ900R12KE4
FZ400R12KP4
FZ600R12KP4
FZ900R12KP4
IGBT2 Fast
FZ400R12KS4
FZ600R12KS4

IGBT3
FZ400R17KE3
FZ600R17KE3
IGBT4
FZ400R17KE4
FZ600R17KE4

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R12HP4_B9

IGBT4 Standard (IHM B)1)
FZ1200R12HP4
FZ1600R12HP4
FZ1800R12HP4_B9
FZ2400R12HP4
FZ2400R12HP4_B9
FZ3600R12HP4
IGBT4 Fast (IHM B)1)
FZ1200R12HE4
FZ1800R12HE4_B9
FZ2400R12HE4_B9

IGBT4 Standard (IHM B) 1)
FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4

IGBT4 Standard (IHM B) 1)
FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2

IGBT2 Standard
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
High Insulation
FZ400R33KL2C_B5
FZ800R33KL2C_B5
FZ1200R33KL2C_B5

IGBT3 in IHV B 1)
FZ1000R33HE3
FZ1200R33HE3
FZ1500R33HE3
FZ1000R33HL3
FZ1500R33HL3

IGBT3 in IHV B 1)
 FZ1200R45HL3
 FZ800R45HL3
IGBT3 in B5 housing
 FZ1200R45KL3_B5
 FZ800R45KL3_B5

IGBT2 Standard
 FZ200R65KF2
 FZ400R65KF2
 FZ600R65KF2
IGBT3 Standard
 FZ250R65KE3
 FZ400R65KE3
FZ500R65KE3
FZ600R65KE3
FZ750R65KE3